無(wú)論(lùn)波長如(rú)何
，LED 的發光原(yuán)理都是(shì)相同的(dí)
，並且(qiě)基於(yú)半(bàn)導體(tǐ)的(dí) pn 結(jié)。當電(diàn)場施(shī)加到p型(xíng)半導體(tǐ)時(shí)
，空穴移(yí)動
，而在(zài)n型(xíng)半導(dǎo)體中
，電(diàn)子(zǐ)移(yí)動。就能量而言
，n型(xíng)半(bàn)導(dǎo)體中(zhōng)存(cún)在(zài)的(dí)電(diàn)子具有較高的能(néng)帶(dài)
，與p型(xíng)半(bàn)導(dǎo)體中空穴存在的(dí)能帶產(chǎn)生間隙。

如果在這(zhè)裏施(shī)加電場來(lái)擾(rǎo)動電子(zǐ)和(hé)空(kōng)穴
，電子將從n型(xíng)能帶躍遷(qiān)到p型(xíng)能(néng)帶(dài)。結果
，電子和空穴(xué)碰撞(zhuàng)
，產(chǎn)生與能隙相對(duì)應(yīng)的(dí)光和(hé)熱(rè)並(bìng)消失。由於能(néng)帶隙根據(jù)半(bàn)導(dǎo)體的(dí)成(chéng)分(fēn)而變化(huà)
，因(yīn)此(cǐ)可(kě)以通過組(zǔ)合(hé)材(cái)料來(lái)調整(zhěng)發射(shè)波長(cháng)。

砷(shēn)化鋁镓 (AlGaAs) 通常(cháng)用於(yú)輸出(chū)近紅外波段的波(bō)長(cháng)。總的(dí)來(lái)說(shuō)
，紅外(wài)LED還存在(zài)發光(guāng)效率比可見(jiàn)光(guāng)LED低的(dí)問(wèn)題(tí)。