全(quán)球電子設備(bèi)市場持續擴(kuò)大(dà)
，支撐(chēng)其的半(bàn)導體產(chǎn)業變(biàn)得越來(lái)越重要(yào)。盡管(guǎn)2019年全球(qiú)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)市場經(jīng)歷(lì)了負增長
，但盡(jìn)管過去經(jīng)歷過(guò)雷(léi)曼衝(chōng)擊
，但(dàn)仍持(chí)續擴(kuò)張(zhāng)。近年來
，存(cún)儲器的(dí)技術發(fā)展從微(wēi)型化轉(zhuǎn)向3D技(jì)術
，刻蝕技術(shù)的(dí)重(zhòng)要(yào)性(xìng)日(rì)益(yì)增(zēng)加(jiā)。

截至(zhì)2018年(nián)
，半(bàn)導體光(guāng)刻(kè)設(shè)備的市(shì)場(cháng)規模為(wéi)10852億日(rì)元。

按消(xiāo)費地區(qū)劃分(fēn)
，韓(hán)國(guó)以(yǐ) 36% 排名(míng)di一
，其次(cì)是中國台灣地(dì)區（19%）
，第三(sān)位是中國大陸（18%）
，第(dì)四位是美國（14%）
，第五位是日本(běn)（7%）。半(bàn)導(dǎo)體光刻(kè)設(shè)備(bèi)廠(chǎng)商按國籍劃(huá)分的市(shì)場(cháng)fen e （2018年(nián)）為歐(ōu)洲（84%）
，日本(běn)（14%）和美國（2%）
，其(qí)中歐洲和(hé)日本幾乎(hū)形成(chéng)寡頭壟斷(duàn)。

關(guān)於(yú)EUV曝(pù)光設備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮(suō)寫）曝(pù)光設(shè)備(bèi)是一種(zhǒng)使(shǐ)用被稱(chēng)為(wéi)極紫(zǐ)外光的(dí)極短波(bō)長(cháng)光的半導(dǎo)體曝(pù)光設備。可以加工使(shǐ)用ArF準分(fēn)子激光的(dí)傳統曝(pù)光設(shè)備難(nán)以加工的(dí)更精細尺寸。

半導體(tǐ)小型化正在按照摩爾定(dìng)律進展（半導體(tǐ)集(jí)成電路的(dí)集(jí)成度和功能(néng)將(jiāng)在三(sān)年(nián)內提高(gāo)四(sì)倍）。到(dào)目前為止
，通過稱為(wéi)步進器的縮小(xiǎo)投影(yǐng)曝(pù)光技(jì)術
，更(gēng)短的曝(pù)光波長(cháng)和(hé)浸沒(méi)式(shì)曝光技(jì)術的(dí)開發
，分辨率(shuài)已(yǐ)得到顯著提高。

小(xiǎo)型(xíng)化(huà)是指(zhǐ)晶(jīng)圓(yuán)上(shàng)可(kě)印刷(shuā)的最(zuì)小加工(gōng)尺寸變(biàn)得(dé)更(gēng)小
，最(zuì)小加(jiā)工(gōng)尺寸(cùn)R由下(xià)麵(miàn)的瑞(ruì)利方程(chéng)表(biǎo)示。

　R=k·λ/NA *k為比(bǐ)例常數
，λ為(wéi)曝(pù)光(guāng)波長
，NA為(wéi)曝(pù)光光(guāng)學係統的(dí)數值孔徑(jìng)

通過各種技術的(dí)發展(zhǎn)
，通(tōng)過(guò)減小(xiǎo)k
，減小λ和增(zēng)大NA來實(shí)現(xiàn)小型化。

EUV曝光(guāng)設備(bèi)是(shì)一種(zhǒng)可(kě)以通(tōng)過(guò)縮(suō)短(duǎn)曝(pù)光波(bō)長(cháng)來突破以往(wǎng)限製的(dí)技(jì)術
，近(jìn)年來已開(kāi)始量產。