1）用某(mǒu)種(zhǒng)離(lí)子在固(gù)定電(diàn)壓(yā)下去轟(hōng)擊不同的靶材(cái)，s會(huì)隨(suí)元素周期(qī)表的族而變(biàn)化。反之，靶材種類確定，用(yòng)不(bù)同種類(lèi)的離(lí)子去轟擊(jī)靶(bǎ)材，s也隨元素周期(qī)表的(dí)族作周(zhōu)期(qī)性(xìng)變化。

2）S隨入(rù)射(shè)離(lí)子的(dí)能量（即加速電壓V）的(dí)增加而(ér)單調地(dì)增加(jiā)。不過，V有臨(lín)界值（一(yī)般為(wéi)10V）。在10V以(yǐ)下(xià)時(shí)，S為(wéi)零。當(dāng)電壓≥10KV時(shí)，由(yóu)於入射離子會打入(rù)靶中，S反(fǎn)而(ér)減(jiǎn)少了。

3）對(duì)於(yú)單晶靶，s的(dí)大小隨(suí)晶麵(miàn)的方向而(ér)變(biàn)化(huà)。因此(cǐ)，被(bèi)濺(jiàn)射(shè)的原子(zǐ)飛(fēi)出的方(fāng)向(xiàng)是不(bù)遵守餘(yú)弦(xián)定律(lǜ)的，而有沿(yán)著晶(jīng)體(tǐ)的(dí)最稠密(mì)麵的傾向(xiàng)。

4）對於多晶(jīng)靶，離(lí)子從斜的方向轟擊(jī)表(biǎo)麵時(shí)，S增(zēng)大。由濺射(shè)飛出的原子方(fāng)向(xiàng)多(duō)和離子(zǐ)的(dí)正(zhèng)相反方向相一致。

5）被(bèi)濺(jiàn)射(shè)下來的原(yuán)子(zǐ)所具有的能(néng)量(liáng)比由真(zhēn)空蒸發(fā)飛出(chū)的原(yuán)子所具有的(dí)能量（~0.1eV）大(dà)1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。

混入薄膜(mó)中的氣體(tǐ)分(fēn)子(zǐ)：用濺(jiàn)射(shè)法製作(zuò)的Ni薄膜時，當濺射電壓(yā)在100V以下時，Ar幾乎(hū)沒有(yǒu)混入。可(kě)是(shì)，一(yī)到(dào)100V以上，薄膜(mó)中(zhōng)的(dí)Ar原子數(shù)急(jí)劇增(zēng)加。