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技術(shù)文章(zhāng)/ Technical Articles
產品分(fēn)類 / PRODUCT
更新時(shí)間(jiān):2026-05-27
瀏(liú)覽(lǎn)次數:146半(bàn)導(dǎo)體行(háng)業(yè)對水(shuǐ)平儀的(dí)精(jīng)度要(yào)求,按工序 / 設備分檔非常明(míng)確,核心(xīn)結(jié)論:
一,行(háng)業通用精度區(qū)間(jiān)(換算(suàn)對照)
角度精(jīng)度:±0.001°~±0.005°
綫(xiàn)值(zhí)精度(dù)(1m 內(nèi)):±0.1 μm/m ~ ±5 μm/m(即 0.0001 mm/m ~ 0.005 mm/m)
粗(cū)略換(huàn)算(suàn):0.001° ≈ 17.5 μm/m
二,各工(gōng)序(xù)典型要求(qiú)(從(cóng)高到低)
1)光(guāng)刻(EUV/DUV,最嚴(yán))
水平(píng)精(jīng)度(dù):±0.001°(≤17.5 μm/m)
重(zhòng)復精度(dù):≤±0.0005°
場(cháng)景:晶圓台,光學平(píng)台(tái),鏡頭(tóu)組(zǔ)基準(zhǔn)
原因:1° 傾斜≈焦平麵偏移數 μm,直(zhí)接(jiē)導致套(tào)刻 / 良率報廢(fèi)
2)刻(kè)蝕 / 沉積(PECVD,ALD,PVD)
水(shuǐ)平精度:±0.001°~±0.002°(17.5~35 μm/m)
場景(jǐng):反(fǎn)應(yīng)腔(qiāng),承載台,蒸發源基(jī)座
影(yǐng)響(xiǎng):腔室(shì)不(bù)水平→等(děng)離(lí)子(zǐ) / 氣流分(fēn)布不均(jūn)→膜厚 / 刻(kè)蝕深(shēn)度(dù)不均
3)塗膠(jiāo) / 顯(xiǎn)影(yǐng)(Track)
水(shuǐ)平精(jīng)度(dù):±0.002°~±0.005°(35~87 μm/m)
場景(jǐng):大(dà)理(lǐ)石基台,旋塗平台
影響:膠(jiāo)厚不均→CD 不良,邊緣(yuán)缺(quē)陷
4)CMP,檢(jiǎn)測 / 量測(cè)(SEM,AFM,三(sān)坐(zuò)標)
水(shuǐ)平精度(dù):±0.005°(≈87 μm/m)
場景(jǐng):拋光(guāng)平(píng)台(tái),檢測機基座(zuò),光學(xué)平(píng)台
要求:長期(qī)穩(wěn)定(dìng),抗振動(dòng),溫度漂移(yí)小(xiǎo)
5)一(yī)般(bān)自(zì)動化(huà)設(shè)備(bèi)(固晶(jīng),焊(hàn)綫,貼片機(jī))
水平(píng)精度(dù):±0.01°~±0.05°(0.175~0.87 mm/m)
三,為(wéi)什麼 SELN-001B 剛(gāng)好匹配(pèi)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)
角度精(jīng)度:±0.001°(=17.5 μm/m),直接(jiē)覆(fù)蓋光(guāng)刻(kè) / 刻(kè)蝕(shí)最(zuì)嚴標準
分辨率:0.0002°,可捕捉(zhuō)微小(xiǎo)傾斜(xié)
零點(diǎn)重復性(xìng):≤±0.001°,長期(qī)穩(wěn)定(dìng)
分(fēn)體式(shì)傳感器(φ50×19 mm):可進(jìn)入腔室(shì) / 平台內(nèi)部(bù)狹小空間
上(shàng)一(yī)篇:半導體(tǐ)行業對水平(píng)儀精(jīng)度的要(yào)求為什麼這(zhè)麼高
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