在半導體製(zhì)造中有兩種基本的(dí)刻(kè)蝕工(gōng)藝(yì)：幹法刻蝕和濕法(fǎ)腐蝕(shí)。

幹(gān)法刻(kè)蝕(shí)，是(shì)利用(yòng)氣(qì)態中產(chǎn)生(shēng)的(dí)等(děng)離子體(tǐ)，通(tōng)過經光(guāng)刻而開(kāi)出(chū)的(dí)掩蔽(bì)層(céng)窗(chuāng)口，與暴露於等(děng)離子體(tǐ)中(zhōng)的矽片行物理(lǐ)和(hé)化學反應(yīng)，刻蝕(shí)掉(diào)矽片(piàn)上暴露(lòu)的表麵材(cái)料(liào)的一(yī)種工(gōng)藝(yì)技(jì)術法[1]。該(gāi)工藝技術的突(tū)出優(yōu)點(diǎn)在於，可(kě)以獲得極其精確(què)的(dí)特征(zhēng)圖形(xíng)。超(chāo)大規(guī)模(mó)集成電路的發展，要(yào)求微細化(huà)加工工藝(yì)能夠(gòu)嚴(yán)格(gé)的控(kòng)製(zhì)加工尺(chǐ)寸，要求在矽片(piàn)上完成(chéng)極(jí)其(qí)精(jīng)確(què)的(dí)圖(tú)形轉移(yí)。任何偏離(lí)工藝要(yào)求的(dí)圖(tú)形或尺寸(cùn)，都(dū)可能直(zhí)接(jiē)影響產品性能或品(pǐn)質(zhì)，給生產帶(dài)來無法彌補的(dí)損害。由(yóu)於(yú)幹(gān)法(fǎ)刻(kè)蝕技(jì)術(shù)在圖(tú)形軼移上的突出(chū)表現，己成(chéng)為(wéi)亞微(wēi)米(mǐ)尺寸下器(qì)件刻蝕(shí)的最(zuì)主(zhǔ)要工藝方法(fǎ)。在(zài)特征圖形(xíng)的製作(zuò)上(shàng)，已基本(běn)取(qǔ)代(dài)了(liǎo)濕法腐蝕技術。

對於濕(shī)法(fǎ)腐蝕，就是用液體化學試(shì)劑(jì)(如酸，鹼和(hé)溶(róng)劑(jì)等)以(yǐ)化學的(dí)方式去(qù)除(chú)矽片表麵的(dí)材料。當然(rán)，在(zài)通過濕(shī)法(fǎ)腐蝕獲(huò)得(dé)特征(zhēng)圖(tú)形時，也要通過經光刻(kè)開(kāi)出(chū)的掩(yǎn)膜層(céng)窗(chuāng)口，腐(fǔ)蝕(shí)掉露出(chū)的(dí)表(biǎo)麵(miàn)材料(liào)。但(dàn)從控(kòng)製圖形形狀和尺(chǐ)寸(cùn)的準確(què)性角度而言(yán)，在形(xíng)成(chéng)特征圖形方(fāng)麵，濕法 腐(fǔ)蝕(shí)一(yī)般隻被用(yòng)於尺寸較大的情況(大(dà)於3微米)。由於(yú)這一特(tè)點，濕法腐蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有幹(gān)法刻(kè)蝕(shí)的應用廣泛(fàn)。但由於(yú)它(tā)的高選擇(zé)比和(hé)批(pī)量(liáng)製(zhì)作模式(shì)，濕(shī)法(fǎ)腐(fǔ)蝕仍被(bèi)廣(guǎng)泛應用(yòng)在(zài)腐蝕層(céng)間膜，去除(chú)幹(gān)法(fǎ)刻蝕殘留(liú)物和(hé)顆粒等工(gōng)藝(yì)步(bù)驟(zhòu)中(zhōng)。